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高效的高频DCDC开关应用DirectFET芯片组IR万芳

发布时间:2020-02-14 11:05:34 阅读: 来源:排污泵厂家

高效的高频DC-DC开关应用DirectFET 芯片组(IR)

IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF 25V 芯片组不但采用了 IR 最新一代 MOSFET 硅技术,还具有业界领先的性能指数 (FOM) 及 DirectFET 封装卓越的开关和热特性,成为一个为高频率 DC-DC 开关应用而优化的解决方案。

IRF6798MPbF 的中罐 DirectFET 封装提供低于1 m 的导通电阻,使整个负载范围可保持极高的效率。新器件配有单片集成式肖特基二极管,能够减少与体二极管传导相关的损耗,并能实现反向恢复损耗,进一步提高解决方案的整体性能。IRF6798MPbF 还提供仅为 0.25 m 的极低栅极电阻,避免了与 Cdv/dt 相关的击穿。

IRF6706S2PbF 小罐 DirectFET 也具备低电荷和低导通电阻,可减少开关损耗及传导损耗,还可为快速开关提供极低的栅极电阻。

器件编号

BVDSS (V)

10V 下的典型导通电阻(m )

4.5V 下的典型导通电阻 (m )

VGS (V)

TA 为25 C时的 ID (A)

典型QG (nC)

典型QGD (nC)

外形代码

IRF6798MPBF

25

0.915

1.6

+/-20

37

50

16

MX

IRF6706S2PBF

25

3.2

5.3

+/-20

17

12

4.2

S1

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